金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种带沟槽的终端结构“授权公告号CN108321187B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金等会说。
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种深沟槽隔离结构的形成方法“公开号CN117976683A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法，涉及半导体技术领域，形成方法包括：提供一半好了吧！
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 6 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， he fei jing he ji cheng dian lu gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ yi zhong shen gou cao ge li jie gou de xing cheng fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 9 7 6 6 8 3 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong yi zhong shen gou cao ge li jie gou de xing cheng fang fa ， she ji ban dao ti ji shu ling yu ， xing cheng fang fa bao kuo ： ti gong yi ban hao le ba ！
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法，采用第一氧化硅等会说。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽好了吧！
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金融界2024年5月3日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“浅沟槽隔离结构及其制造方法“授权公告号CN110391172B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本发明提供浅沟槽隔离结构及其制造方法，该制造方法包括步骤S1:提供一半导体基底，所述半导体等我继续说。
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轮胎胎面肩沟部分的排水沟槽采用细密的扰频钢片设计。本发明胎面周向各节距排布时，采用组合变节距排列方式，增强操控性能的同时达到了降噪的目标，通过大角度斜向花纹设计，增加排水效率及花纹沟槽的气体运动得到合理的疏导与控制，达到排水和降低噪音的目的，胎面肩沟部分的排神经网络。
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证券之星消息，根据企查查数据显示友发集团(601686)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种沟槽式管接头快装防挤压胶圈”，专利申请号为CN202322833417.3,授权日为2024年4月30日。专利摘要：本实用新型涉及防挤压胶圈领域，公开了一种沟槽式管接头快装防挤压胶圈，包括胶等我继续说。
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外延层高出金属层以形成沟槽；在外延层上制备阱区；去除金属层并在去除金属层的沟槽中制备栅极，以及，在外延层上形成源区，以及，制备栅极与源区之间的隔离层；在隔离层和源区上制备源极，以及，在衬底层的背面至少制备漏极。本发明的功率器件的制备方法，制备方法简单，能灵活调整沟槽等我继续说。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅型IGBT“公开号CN117878143A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽(120)的在内部具有栅极还有呢？
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构“公开号CN117855197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种沟槽电容器封装结构及其制备方法、半导体结构。沟槽电容器封装好了吧！
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